投资要点：
在全球能源危机、环保要求不断提高的情况下，寿命长、节能、安全、绿色环保、色彩丰富、微型化的半导体LED照明已被世界公认为一种节能环保的重要途径。半导体灯采用发光二极管作为新光源，同样亮度下，耗电仅为普通白炽灯的1/10，使用寿命可以延长100倍。2006年全球半导体照明市场超过70亿美元，年增长率超过20％，预计未来5～10年可形成500亿～1000亿美元的潜在市场。..面对半导体照明的巨大商机和令人鼓舞的发展前景，世界各国纷纷行动，日本、美国、欧盟、韩国等近年来相继投入巨资，推出国家半导体照明计划。2004年开始，中国政府开始实行半导体照明工程，先后成立了深圳、上海、南昌、大量和深圳5个半导体照明基地。
随着发光效率、应用技术的不断提升，大尺寸液晶电视背光源、汽车、商业和工业用照明已逐步成为LED主要应用领域。2006年-2010年显示用LED销售额年均复合增长率为19.2%，景观照明销售额年均复合增长率将达到37.2%，LCD背光源用LED销售额年均复合增长率将达到31.5%。
白光LED将成为全球LED未来竞争的焦点。据台湾工研院统计数据，白光LED的年需求从2002年的19.5亿颗增长到2006年的136亿颗，年复合增长率56%，预计到2010年将保持每年40%增长。
1、半导体照明：绿色照明时代的开始
1.1人类照明的历史演进过程
1.1.1火——人类照明史上的第一次革命
在人类发明电之前，光明总是与火联系在一起的。当人类学会钻木和燧石取火，将松枝草把点燃照明，便是火炬。当人们学会使用动植物油后，把油盛放在容器内点燃，就成为油灯，这大约是人类最早使用的“灯”了。到19世纪，人们开采石油后，出现了煤油灯，上面有一个玻璃灯罩，可发出白色的亮光。19世纪中叶，还出现过煤气灯。不论是点着篝火还是松明，也不管是燃烧动植物油、煤油、煤气或者乙炔气，这类照明方式都有一个共同的特点—用火，火是人类照明史上的第一次革命。
1.1.2白炽灯——人类照明史上的第二次革命
1879年10月21日，爱迪生在试验了1600种材料后，终于用炭丝做成的灯丝成功制成了世界上第一盏白炽灯，从此开始了人类照明史的第二次革命。
1909年，美国科学家柯里奇发明了钨丝做灯丝，提高了白炽灯的亮度和寿命，由此开始了电照明的新纪元。
1959年发明了卤钨灯使白炽灯的技术达到了一个新境界并提高了白炽灯的寿命，普通白炽灯的使用寿命是1000小时，卤钨灯要比它长一半，发光效率提高30%。
荧光灯诞生于20世纪40年代，它利用气体放电原理产生光能。由于荧光灯发出的光主要是紫外线，红外辐射很少，因此发光效率是白炽灯的3倍以上，使用寿命差不多是白炽灯的4倍。
1.1.3半导体照明——人类照明史上的第三次革命？任重道远！
LED（Light Emitting Diode）照明是一种全新的照明技术。LED即半导体发光二极管，是一种利用半导体芯片作为发光材料、直接将电能转换为光能的发光器件，当半导体芯片两端加上正向电压，半导体中的电子和空穴发生复合从而辐射发出光子，光子透过芯片即发出光能。
1962年，第一个商用化的可见红光LED诞生，它使用的是由三种材料镓、砷、磷组成的化合物半导体材料GaAsP磷砷化镓，可发出波长为655nm的红光，虽然亮度很低，但作为仪表指示灯得到了大量应用。
1976年，使用GaP磷化镓材料的红光LED出现了，它们的发光效率比第一代红光LED高出了2到3倍。
1980年代，一种AlGaAs（砷化铝镓）LED的应用才得到迅速发展。用它制成的红光LED发光效率大大提高，亮度是原先材料的10倍。
1990年代早期，使用四元化合物材料InGaAlP（磷化铝镓铟）制成了可用于户外显示的超高亮度红、橙、黄光LED。
1993年，日亚公司的中村修二成功发明了InGaN（氮化铟镓）超高亮度蓝光LED。蓝光LED的出现具有划时代的意义—蓝光的出现使得白光LED的实现变得可能：一种方法是用红、绿、蓝三种LED混合成白光，另一种方法是用蓝光LED与涂在表面的黄色荧光粉混合发出白光。
白光LED于1996年诞生，由此开创了LED照明的新时代。
自20世纪60年代世界第一个半导体发光二极管诞生以来，LED照明因具有寿命长、节能、色彩丰富、安全、环保特性，被誉为人类照明的第三次革命。
1.2半导体照明产业制造流程
1.2.1 LED的结构
1.2.2 LED制造流程
LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长，中游的芯片、电极制作、切割和测试分选，以及下游的产品封装。
国际和国内MOVCD设备基本是全进口的，主要厂商为美国VEECO公司和德国AIXTRON公司两家。
上游外延工艺
在外延炉（Metal Organic Chemical Vapour Deposition，简称MOCVD）高温高压无氧环境下，有机金属（MO源）和氢化物分解成原子有序地淀积在晶片的表面，成为外延层（Epitaxy）。上游外延制造附加值最高。
中游芯片工艺
中游厂商根据LED元件结构的需要，先进行金属蒸镀，然后在外延晶片上光罩蚀刻及热处理而制作LED两端的金属电极，接着将衬底磨薄、抛光后切割为细小的LED芯片，由于衬底较脆且机械加工性差，芯片切割过程的成品率为中游制作阶段的重点。中游的最后一步是测试分选。
下游封装工艺
下游是把从中游来的芯片粘贴并焊接导线架，经由测试、封胶，然后封装成各种不同的产品。
1.3半导体照明：节能、环保
1.3.1第三次照明革命的实现取决于发光效率的提高和成本下降
LED照明技术正处于一个迅速发展的阶段，发光效率不断改善，按照海兹定律（安捷伦的前任技术科学家Roland Haitz预测，LED的价格每十年降为原来的10分之一，性能则提高20倍，这个预测后来被业界称为Haitz定律），每18到24个月单个LED封装器件输出的光通量将翻一倍，现在白光LED的发光效率已达到白炽灯的2倍以上，到2010年发光效率将超过荧光灯，到2020年将达到荧光灯的2倍，到时LED将照亮整个世界。
在2005年的时候，业界几乎普遍预测市售白色LED要达到100lm/W的发光效率最早也要等到2007年～2008年，如根据西铁城电子的开发蓝图，2006年内将出现90lm/W产品，2007年100lm/W有望问世，这个时间之所以提前了1年多，不只是因为激烈的技术开发竞争，也有人认为其中包含了应对价格暴跌的因素。
从小功率（0.1W级）白色LED的价格来看，2003年第1季度约为65日元。
2004年同期就跌到了54日元，2005年则是40日元，到了2006年更是跌到了不足30日元，3年时间就下跌了一半多。
但要达到家庭照明的领域还需要很长的路要走，要实现第三次照明革命要首先具备以下的照明成本分析。
根据美国圣地亚国家实验室所做的LED照明成本分析，投资成本是将一个灯泡的购买成本（每兆流明）分摊到整个寿命周期，运行成本是指一个灯泡在运行时的成本（每兆流明时），拥有成本是投资成本和运行成本之和，反应了一个灯泡从购买、运行到寿终整个生命周期的总成本。
LED目前初始投资成本较高，运行成本已低于白炽灯，总的拥有成本仍然远高于白炽灯和荧光灯。到2012年LED的拥有成本降至0.77美元/兆流明时,将低于荧光灯的1美元/兆流明时,到2020年LED的拥有成本将降至0.48美元/兆流明，只有荧光灯的一半。
1.3.2 LED照明未来替代日光灯将显现其节能和环保的天生优势
从国家战略看，国家已将半导体照明产业纳入国家重点发展的高新技术产业并给予大力支持，将半导体照明产品列入国家高新技术产品出口目录、节能产品目录和政府采购目录，并享受相应的优惠政策。
最乐观预计：从2020年开始LED照明将大规模取代传统照明。这种取代将产生三个主要的收益：能源消耗的节约、二氧化碳气体排放的减少和本身无污染。
降低能源消耗http://
在美国，约三分之一的一次能源用于发电，而电力的20%又用于照明，假设目前照明市场中白炽灯、荧光灯和高压气体放电灯的市场比例分别是42％、41%、17%，则合计的照明效率约在45－65lm/W。如果LED照明的发光效率能达到150－200lm/W的目标，并且全部取代传统照明，则合计的照明效率可以提高一倍以上，美国用于照明的电力消耗因此将减少一半，全部电力消耗将减少超过十分之一。
预计到2025年美国每年的电力消耗大约是52500亿度，以每度电零售价格0.07美元计算，消费者每年大约支付3500亿美元，因此使用LED照明每年可以节约用电5250亿度，消费者每年可以节约350亿美元，而对全球来说，这个数字将扩大3到4倍。美国一座核电站的年均发电量大约是720亿度（按每座1GW的发电容量，每年发电时间为365×24小时，发电小时利用率87％计算），节约5250亿度意味着节约大约70座核电站的年发电量。
在中国，照明用电约占总电量的12%,2004年我国总发电量是22000亿度，即使按5%的年增长速度保守预计，到2010年我国总发电量将达到30000亿度，照明用电将达到约3600亿度，如能节约一半的照明用电就是1800亿度,相当于一个三峡电站所有机组的年发电量。
按照目前的火力发电机组的情况来看，每度电的耗煤300-400克，取350克/度的折中数据来计算，全国每年节约标准煤高达6300万吨。
减少环境污染在美国现在的电力能源结构下，每生产60亿度电将产生大约100万吨的二氧化碳当量排放。假设在2025年美国仍维持现在的电力结构，则使用LED照明每年将会减少8700万吨的二氧化碳当量排放。《京都议定书》规定大多数发达国家二氧化碳温室气体的排放量，要比1990年的水平减少7%，或比2025预期值减少40%。如果LED照明能减少一次能源的消耗，并相应减少3%的温室气体排放，则LED照明将使美国朝着京都议定书的目标前进了7.5％。即使不考虑京都议定书，在全球二氧化碳排放交易市场，按照目前每吨二氧化碳排放出售５美元到２５美元的价格，减少8700万吨的二氧化碳排放意味着每年节省大约4亿至20多亿美元。
中国是仅次于美国的全球第二大温室气体排放国，主要原因是煤炭在中国能源结构的比重超过70%，使用LED照明对减少我国二氧化碳气体排放的效果将更加明显。在环保方面，火电厂7.5亿吨煤每年将排放2000万吨SO2气体，折算H2SO4 3120万吨，这些惊人的数字足以说明发展半导体照明的重要性。LED光源本身不含汞、铅等有害物质，无红外和紫外污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染减。
1.3.3世界各国半导体照明发展战略
LED照明产生的效益显而易见，世界各国都在政府的大力资助下加快推进LED照明取代传统照明的步伐，日本、美国、欧盟、韩国、台湾和中国政府都制定了相应的发展计划。
美国政府尤其制定了详细的中长期半导体照明战略计划。根据美国固态照明LED发展路线图计划，从2002年到2011年，美国政府计划每年投入0.5亿美元，来资助企业、国家实验室和大学三方共同推动LED照明技术的加速发展。
LED照明技术的发展目标是：发光效率将分阶段从2002年的25流明/瓦提高到2007年75流明/瓦、2012年的150流明/瓦和2020年的200流明/瓦,发光成本将从2002的200美元/千流明降低到2007年的20美元/千流明、2012年的5美元/千流明和2020年的2美元/千流明。
LED照明在2007年开始渗透进入白炽灯照明市场、2012年进入荧光灯照明市场，而大量取代白炽灯和荧光灯将分别在2012年和2020年。
中国大陆为节约能源、实现经济和社会的可持续性发展，于6月3日制定《节能减排综合性工作方案》，半导体照明产业顺应了节能减排的宏观政策。
从2005年开始科技部先后批准了大连、厦门、上海、南昌和深圳等五个半导体照明产业基地，在政策、税收和资金上给予长期支持。
最近中国政府通过研究院、高校、信息产业部等相关政府部门、企业、研究机构进行一系列研究开发计划，形成了涵盖真个产业链的政策支持。
2、全球LED产品、市场、应用分析
2.1全球LED市场增长和应用前景
2004年全球LED市场规模约为47亿美元，iSuppli预计到2008年将增长到69亿美元，年平均增长率约13%，其中高亮度和超高亮度LED市场年平均增长率将达到20%左右，到2008年二者合计占总体市场份额的三分之二，届时超高亮度LED单独的市场规模将达到16亿美元。
在高亮度LED产品中，GaN基芯片由于产品附加值高，各国（地区）竞相扩大产能。GaN芯片的产能主要集中在台湾和日本，但中国大陆和韩国产能增长迅速，也成为重要的生产区域。
中国大陆芯片产能变化提升较快，是全球GaN芯片产能增加最快的地区。
芯片产能的增加一方面来自前几年所购MOCVD设备经过安装调试，陆续投入生产，如上海兰宝、厦门三安、大连路美、上海蓝光、深圳方大等；另一方面也由于台湾厂商将部分芯片产能向大陆转移或台湾相关人员在大陆投资建厂，加快了国内芯片产能的提高，如厦门明达光电。
另外，随着台湾外延生产商对外延片出口的放松，国内部分厂商转而采用进口外延片来进行芯片批量生产，也在一定程度上提高了InGaN芯片的产量，如广东普光、士兰明芯等公司。
新兴应用市场如通用照明、汽车前灯、大屏幕LCD背光源等将成为高亮度LED市场增长的新动力，在大屏幕LCD背光源的推动下，2008年LCD背光源仍将占有26％的市场份额，到2008年高亮度LED市场仍将成长一倍。
未来景观照明和通用照明的LED市场增长速度最快，iSuppli预计景观照明LED市场年增长率将达到50％，市场份额将从2003年的2%增加到2008年的8%。
2004年通用照明LED的销售额是9400万美元，到2010年将增长到8.75亿美元，年均增长率将达到52.3％，届时LED照明将在全球120亿美元至140亿美元的照明市场占据重要的位置。
白光LED照明将成为全球LED未来竞争的焦点。据台湾工研院统计数据，白光LED的年需求从2002年的19.5亿颗增长到2006年的136亿颗，年复合增长率56%，预计到2010年将保持每年40%增长。
2.2全球LED价格走向
日本LED厂商供应的白光LED价格已从2000年的每颗105日元（约1美元），下跌到2005年的44日元（不到0.50美元），蓝光LED价格从2000年的每颗92日元跌至2005年的17日元。
2004年台湾厂商生产的蓝光LED价格跌幅达到30％，04年底蓝光LED报价已跌至新台币0.60－0.80元，2005年蓝光LED的价格跌势趋缓，全年跌幅在15％。2004年台湾白光LED价格跌幅在30％以内，04年底的平均报价在新台币2.5－3元，由于台湾厂商积极进入白光LED领域，2005年价格跌幅仍将达到约30％。
导致价格持续走低的原因，主要是由于上游设备供应商MOCVD外延炉容量的不断扩大导致LED外延生产商的单位生产成本下降。
从2003年以来，全球两大MOCVD设备厂商（美国的VEECO公司和德国的AIXTRON公司）的主流设备从2003年的6-8片机、2004年的12片机、2005年的15片机、2006年的21-24片机。在同样原材料的情况下，每个外延片的成本大幅度下降。
目前主流设备的容量为24-30片左右，比2003年增加3倍以上。http://
2.3全球LED厂商分布及市场占有率
2.3.1全球供应国和地区
日本凭借在高亮度蓝光和白光LED的专利技术优势，在全球高亮度LED市场居于领导地位，市场占有率达到50％。
台湾在全球LED的产值排名第二，市场占有率约24%，台湾以低价策略逐渐威胁到日本的领导地位，基本占据了全球中低端LED的绝大部分市场。
其他地区，比如韩国和中国大陆，由于MOCVD的相继投产，也带动产能的释放，出现增长。
2.3.2全球LED供应厂商
全球主要LED厂商所处产业链的分布
台湾厂商
目前台湾蓝光LED产能占全球的35％。随着四元化合物InGaAlP LED及传统LED价格滑落，日商逐渐退出低端市场，而台湾厂商乘机占有全球四元InGaAlP LED市场，四元LED产能达到全球的80％。
台湾生产的GaN和InGaAlP LED单价较低，产品属于中低端，台湾LED产值只占到全球市场的24％左右。
台湾LED上游企业以晶电、元坤、华上、璨圆四家企业为主，其中2005年晶元光电合并国联后，一举成为全球第六大LED厂商，紧随五大厂商之后，新晶电的四元InGaAlP红橙黄光LED产能全球第一，GaN蓝光LED产能全球第四，2004年度合并销售收入达到1.8亿美元。元坤合并联诠后蓝光LED产能也进入全球前五名。
台湾LED中游企业以光磊、鼎元为主，其中光磊与日亚合作，由日亚提供外延片，光磊生产蓝光LED芯片。
下游封装企业主要有光宝、亿光、宏齐、佰鸿等，光宝为台湾第一大LED封装企业，2004年封装产值在世界排名第八位。
2.4全球LED专利竞争
专利技术在LED发展中所起的巨大作用和其独特的专利分布方式，专利的转让、授权及纠纷将极大的影响LED行业未来的发展格局。
LED照明技术的核心专利基本都被外国几大公司控制，如日本的日亚、丰田合成、东芝，美国的Lumileds、Cree，德国的Osram公司等。这些公司利用各自的核心专利，采取横向(同时进入多个国家)和纵向(不断完善设计，进行后续申请)扩展方式，在全世界范围内布置了严密的专利网。
对于中国台湾、中国大陆以及韩国等LED产业的后来者，虽然LED产业已经具有了一定规模，但由于在专利技术方面的被动，其发展却受到专利的很大牵制，这种情况在中国台湾地区表现最为突出。但这些地区，特别是中国台湾和韩国的企业都在技术方面取得了一些创新，在争取授权方面也取得了一定进展，专利格局也在悄悄发生改变。预计今后几年，国际间专利的转让、授权、纠纷将会表现出如下趋势：
NICHIA仍是技术转让、授权、诉讼的主要发起人由于在LED蓝光芯片及白光LED专利技术方面的霸主地位，Nichia在未来几年的专利转让、授权、诉讼中将继续处于主导地位。尽管Osram为主的欧美企业对技术转让授权持积极态度，但受持有专利所限，专利授权的主导方向还是由Nichia来确定。
从各种授权及纠纷的发生数量来看，以Nichia为主导的占据所有授权及纠纷总量的60%左右，其次是Osram公司。这种状况在近年不会有太大改变。
Nichia对外授权将不断增加
在专利授权方面，欧美企业一向比日本企业更为积极。随着Osram、Lumileds等企业在技术专利方面的增强以及对台湾地区和韩国企业授权增加，Nichia等企业从自身利益出发，也将加快对外授权的速度。特别是，2005年在Nichia、TG等公司利润下滑的情况下，通过专利授权或委托加工将是一项非常值得考虑的选择。
另外，韩国及我国台湾企业在技术上的突破或获取其它公司授权，避开Nichia专利诉讼的可能性大大增加。在专利诉讼不能限制台湾企业继续争夺市场空间的情况下，授权生产也将是日本LED企业的最好选择。如果Nichia有意开放专利授权，将会以产能较大的下游封装厂为主，并会将未获相关专利授权的企业作为优先对象，台湾企业将会是重点所在。
相互授权将进一步增加
Nichia的技术垄断能力在不断降低，其对我国台湾、韩国等芯片生产商提出诉讼的能力逐步减弱。另外，随着这些生产商逐步研发出独特的专利技术，部分独有专利也会为Nichia等专利垄断企业带来较大产品品质提升，这些企业与Nichia等企业之间相互授权的可能性逐步加强。
目前，Nichia面临的主要技术威胁主要来自我国台湾。如：台湾晶电公司的ITO技术可在芯片制造工艺上不做太大调整，而在成品率及成本控制上具有相当大地优势。若将其应用在Nichia的芯片生产上，可马上提升其产品亮度30％～50％，在相关材料技术尚无法有效突破之际，对Nichia在提升产品亮度上可望具相当之吸引力。所以这类技术即可以降低侵权诉讼纠纷，还可以作为与Nichia交互授权的谈判筹码。
国内企业面临专利纠纷可能，但仍有机会突破
我国LED技术起步较晚，在LED专利方面处于比较被动的局面，发展情况不容乐观。随着企业规模的不断扩展，有可能受到国际大公司的关注而卷入专利纠纷中。一般预计，2年内不会有针对我国企业的大规模诉讼案发生，但长远来讲国内企业存在很大忧患。随着国内LED出口规模的扩大、我国台湾地区及韩国企业专利诉讼的减少，不排除Nichia等大公司将专利诉讼重点向中国大陆企业转移的趋势。
3、中国LED产品、市场、公司分析
3.1中国LED市场状况
中国的LED产业2003年以来快速发展，已覆盖外延、芯片、封装、应用产品等上下游产业链，“一头沉”的状态正在发生改变，中国LED上游产业得到了较快的发展，其中芯片产业发展最为引人注目。
对于高亮度芯片来说，2003年至今可称为其高速发展阶段。特别是随着厦门三安、大连路美等一批高亮度芯片生产企业的产能释放，国内高亮度芯片产量出现井喷式增长，在经历了2003-2005年产量增长率过100%的快速增长期后，2006年高亮度芯片产量继续保持过100%的增长速度，增长率达到101.4%，芯片产值增长率也达到45.0%。
中国的芯片在全球LED芯片市场中的占有率逐年提升，从2003年的不足10%增长到现在将近20%的份额，高于全球的平均增长率。
从产业规模看，2006年中国LED产业包括了衬底、外延、芯片、封装四个环节，总产值达到105.5亿元，其中封装环节产值达到87.5亿元。
封装仍是中国LED产业中最大的产业链环节，但产值所占比例相对以前有了很大的改善，并在将来的发展中，芯片占的比重将持续得到提升，封装环节占的比重将逐年下降。
中国芯片产值在整体产业产值中的比重已经由2002年的5.4%上升至2006年的11.3%。由此可见，中国LED产业结构正在由较低端的封装转向附加值更高、更具核心价值的芯片环节。
据赛迪顾问预计，2008年高亮度芯片产量将超过普通亮度芯片产量。届时，高亮度芯片的产量将占到整体芯片产量的56.2%，而产值更是占到整体芯片产值的72.8%，至此，中国LED芯片产业将正式跨进高亮度时代。
3.2中国LED厂商、市场占有率、应用前景
3.2.1中国LED厂商情况
我国现有LED企业600余家，企业主要集中在下游封装和应用领域，国内从事LED上游外延片和中游芯片的企业大约在10余家，主要企业有厦门三安电子、大连路美芯片、深圳方大国科、上海蓝光、士兰明芯等。国内从事下游封装的企业主要有佛山国星光电、宁波爱米达、厦门华联、深圳超亮等20家。
3.2.2 中国LED 厂商市场占有情况
3.2.3中国LED市场应用前景
大尺寸液晶LED背光市场蓄势待发
目前LED的背光模块价格仍为CCFL背光模块的3-4倍价格左右，随着LED单价的下滑及效率的提升以及技术的开发完成，使诸如LCD-TV的散热问题得到解决，预期07年下半年将有部份LCD-TV采用高功率LED的背光源。
据DisplaySearch统计，2006年LCD-TV将有5%左右采用LED背光源，预估2008年全球液晶电视需求约5,000万台，届时将有三分之一的背光源市场被LED所取代，即市场上将至少可见到1,500万台的LED液晶电视，以电视面板平均使用150颗LED计算，每年至少需要22亿颗LED。
可以看出，从2006年到2008年是LED背光源的快速成长期。如果按照2010年TFT-LCD市场销售额950亿美元，背光模组占其中20%计算，届时背光模组的份额约为190亿美元。据此推算，LED背光模组份额为15.39亿美元，这是比较保守的估计。
景观照明在政府力量推动下快速增长景观照明市场主要以街道、广场等公共场所装饰照明为主，推动力量主要来自于政府。
受到2008年北京奥运会和2010年上海世博会的影响，北京、上海等举办地加快了景观照明的步伐。此外，受到北京、上海等活动举办城市LED景观照明工程样板作用的影响，二、三级城市也将加快LED灯在景观照明工程中的应用比例。http://
2006年-2010年显示用LED销售额年均复合增长率为19.2%，景观照明销售额年均复合增长率将达到37.2%。据保守估计，假如全国100座大中城市，每座城市平均在景观照明上的投资为1亿元人民币，将具有100亿元人民币的市场规模，到2008年，我国的城市景观灯光市场将达到200亿人民币左右，成为LED市场最大的应用领域。
汽车车灯的应用市场将加速成长凭借LED灯在响应速度以及长寿命等优点，LED车灯在第三刹车灯上的应用正在逐步扩大，2006年-2010年中国汽车用LED销售额年均复合增长率将达到76.7%。汽车光源在照明领域中占有极其重要的地位，其产量占整个照明光源总产量的10％左右。在通用照明LED技术尚未成熟前，车用市场是最被看好的LED市场。
车用LED可分为汽车外部使用及内部使用，内部包括仪表板、空调、音响等指示灯及内部阅读灯；外部使用则包括第三刹车灯、尾灯、方向灯、侧灯等。
目前全车内部采用LED的车厂家几乎全为欧洲的公司；而在外部照明使用LED方面，欧系及日系汽车将第三刹车灯改成LED的比率已超过80%。
目前除汽车头灯还有距离与亮度等问题只有少量使用外，汽车内外部照明采用LED已经普遍。根据国外调查，2004年全球车用LED市场规模将达30亿美元，年复合成长率高达80%。
LED在汽车市场的主要成长动力是替代原有指示灯及灯泡照明，一部车若把照明全部换成LED，内、外部大约各需用掉200-300颗LED。2005年我国汽车产销量比上年增长20%，产销总量各超过570万辆，其中轿车产量达到220万辆以上。按目前LED的水平，预计一辆汽车需要300多颗LED。
普遍认为，3-5年内汽车用LED将成为LED的主要市场，会形成每年10亿元左右的产值，汽车LED市场将随着LED技术的突破而迅速增长。
3.3中国LED主要（包括上市）公司分析
3.3.1厦门三安光电股份公司（拟上市）
公司原为厦门三安电子有限公司，于2007年6月份进行了改制。公司为中国目前最大、产业链最完整、产品最全的LED生产厂商。
公司的产品包括蓝光LED（GaN基）和红、黄光LED（AlGaInP基）的外延片、芯片。公司成立专门的公司进行封装和应用生产和开发。
公司到2007年9月为止拥有MOCVD设备13台，外延片设备全部为进口大容量设备。其中蓝绿光设备9台，年产外蓝绿光2英寸外延片100，000片，能切割芯片（12mil×12mil,其中1mil=1/1000英寸）为20亿颗；红、黄光设备4台，年产外延片为18万片，能切割芯片（9mil×9mil）为60亿颗。2007年将实现年销售收入3.5亿元，年净利润7000万。
3.3.2大连路美芯片（非上市）
大连路明公司在2004年通过收购美国AXT公司的光电事业部，获得了5台左右的小容量MOCVD设备和专利技术，成立了大连路美公司，当时美国AXT公司的LED技术处于国际前4名，技术成熟和先进。
目前公司在美国的工厂进行外延片生产，之后把外延片运回国内进行芯片加工。公司在2007年6月份为止，总共有MOCVD大小设备9台，大容量设备为6台，其中4台生产蓝绿光LED外延片，两台生产红、黄光LED外延片。
公司LED生产能力仅次于厦门三安光电股份公司。公司年产蓝绿光外延片6万片，芯片12亿棵；年产红黄光外延片8万片，芯片25亿颗。2007年有望实现LED产值2亿元，实现经利润4000万左右。
3.3.3世纪晶源科技有限公司（非上市）
2004年11月落户深圳的超大型中外合资企业，首期注册资金为八亿元人民币，首期第一批投资为三十亿元人民币,研发生产半导体照明、光存储、光通讯和微波通讯四大领域的前端核心材料与器件产品。
公司现股东新恒基国际集团将利用其雄厚的资金实力和对中国化合物半导体产业周密的战略分析，各项工作已经精心部署、列出时间安排并正在有序推进中，力争用两年左右的时间整合中国化合物半导体产业的整个上、中、下游产业链，强强联合、优势互补、资源共享，以形成超百亿元的产值，其上游产品将为深圳乃至全国近万家企业提供优质的上游产品。
规划用5年左右时间，使整个产业基地的总投资达到200亿元人民币左右，每年可实现产值1,000亿元人民币左右，真正打造一艘中国化合物半导体产业的旗舰，抢占国际化合物半导体产业的制高点。
3.3.4深圳方大A（000055）
方大集团在2000年先后与南昌大学和中国科学院半导体研究所签署合作协议，成立江西方大福科信息材料有限公司和深圳市方大国科光电技术有限公司，分别生产GaN基蓝、绿光LED外延片和芯片，深圳方大拥有国科100％的权益（福科现已注销）。
方大LED一期工程投入8000万元，经过3年的努力，于2002年成功地完成了国家“863”项目蓝光LED的产业化，成为国内掌握GaN蓝绿光LED外延片和芯片关键技术、能够批量生产GaN蓝绿光LED的企业之一。2004年方大投资1.2亿元的LED二期工程投产，二期在一期1台MOCVD设备的基础上新增2台MOCVD设备，年产2英寸LED外延片约36000片，是一期项目的6倍，2005年二期工程顺利通过了深圳市高新技术示范化工程项目验收。
方大目前已掌握大功率高亮度白光LED的生产技术，其发光效率已达到30lm/W，并正努力提高到40lm/W，技术水平在业内处于中等偏上水平，缺少产业规模效应。
2006-2009EPS分别为0.02、0.06、0.10、0.15元，给予中性投资建议。http://
3.3.5联创光电（600363）
联创光电的前身－国营746厂从1973年开始就进行LED研究，“七五”期间从德国引进磷化镓GaP外延片生产线.联创光电公司控股74％的子公司南昌欣磊光电公司的年产能力为60亿粒GaP普通LED芯片，2004年销售收入约8000万，净利润355万。联创光电控股53％的厦门华联公司是一个以LED器件封装为主的企业，2004年销售收入近3亿元，净利润1000万。2005年上半年厦门华联和南昌欣磊的净利润分别是534万和224万。联创光电的产品主要以普通亮度LED为主，高亮度GaN蓝绿光LED还处于研发中，目前主要业务是封装，厦门华联公司贡献的利润率占比较高的比重。
公司外延设备现在的利用率较低，芯片工艺不稳定，导致公司目前的主业务为利润率低的封装产业链上并且产品档次不高。公司GaP低亮度蓝绿光由于设备的原因在成本上无法和别的厂商竞争，加上低亮度市场日益萎缩，市场占有率成逐年下降的趋势。
南昌大学的硅衬底蓝色发光二极管材料及器件工艺路线，为我国发展自主知识产权的发光材料开辟了崭新空间。2006年8月12日，公司“硅衬底发光二极管材料与器件”成果已进入产业化实施阶段，目前该项目一切进展顺利。
江风益表示“对该项目实施产业化非常有信心，这一技术路线是国际上其他单位尚未走通的技术路线，国内外任何机构要使用这项技术，必须要向我们购买专利”，该项技术处于国际领先水平，已申请了国际专利保护十几项。如能如他所说的实现，将能给公司带来业绩的高速成长。
2006-2009年EPS分别为0.12、0.13、0.23、0.35元，给予中性投资建议。
3.3.6士兰微（600460）
士兰微电子从海外引进多名从事GaN材料、LED器件和MOCVD设备方面的研发人才，结合自身在半导体芯片制造业的丰富经验，成立了士兰明芯科技公司，士兰微电子持有明芯76.1％的股权。
士兰明芯主要生产高亮度GaN蓝绿光LED外延片和芯片。公司核心技术人员有和日亚公司相关的合作研发经验，公司目前拥有两台MOCVD设备，分别是德国AIXTRON设备（11片2英寸容量）和TOMSWAN（19片2英寸容量），已研制出高亮度GaN蓝绿光LED外延片。公司后续两台设备将陆续到位。公司在LED芯片制造方面拥有多项专利——表面粗化技术、功率芯片倒装技术以及抗静电技术，公司在LED芯片制造上具有潜在优势。
公司已批量生产出蓝、绿光芯片以及功率型LED芯片，其中开发的大功率1W蓝光芯片的光通量达到35-40流明。2006年公司其他业务销售收入下降的情况下，LED销售收入保持强势增长，实现销售收入4433万元。预计公司07年将实现LED的大幅赢利，07年上半年已经实现销售收入5000多万，超过去年全年，考虑3、4季度是LED需求旺节，07年有望实现1亿元的销售目标。
2006-2009年EPS为0.14、0.30、0.45、0.51元，给予推荐投资建议。
